Konu "Galyum Nitrür" için Fen Bilimleri Enstitüsü / Science Institute listeleme
Toplam kayıt 1, listelenen: 1-1
-
X bant uygulmaları için GaN tabanlı düşük gürültülü yükselteç tasarımı
(Başkent Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2022)Galyum Nitrür (GaN) tabanlı Yüksek Elektron Hareketli Transistörlerin (HEMT’ler) ortaya çıkışı, özellikle yüksek arıza gerilimleri ve üstün güç işleme yetenekleri nedeniyle dikkatleri üzerine çekmiştir. Bu özellikler, GaN ...